MnZn-Kern WE-HCMD liefert bei 125°C bis zu 190A Sättigungsstrom

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Die WE-HCMD-Induktivität von Würth Elektronik vereint hohe Permeabilität des MnZn-Kerns und optimiertes Design für TLVR-Topologien. Mit satten 78 A Nennstrom und bis zu 190 A Sättigungsstrom bei 125 °C liefert sie konstante Induktivität unter extremen Bedingungen. Der geringe RDC von 0,125 m? ermöglicht hohe Effizienz und schnelle Einschwingzeiten, wodurch Spannungseinbrüche minimiert werden. Anwendungen reichen von Servern über GPUs bis hin zu FPGA- und KI-Systemen mit dynamischen Lastwechseln. Durch reduzierten Kondensatorbedarf sinkt zudem die Layout-Komplexität.

WE-HCMD Spule mit 0,98 Kopplungsfaktor und 70-200 nH Induktivität

Die Spulen bestehen aus Flachdraht, wobei die innere isoliert ist. (Foto: Würth Elektronik eiSos GmbH & Co. KG)

Die Spulen bestehen aus Flachdraht, wobei die innere isoliert ist. (Foto: Würth Elektronik eiSos GmbH & Co. KG)

Die WE-HCMD-Serie ist speziell auf die Anforderungen von TLVR-Schaltungen abgestimmt. Dank des engen Koppelfaktors von 0,98 und des geringen internen Widerstands von 0,125 m? liefert die MnZn-Kern-Spule schnelle Lastwechselantworten und stabile Versorgungsspannungen. Induktivitäten zwischen 70 nH und 200 nH lassen sich flexibel einsetzen, während ein maximaler Sättigungsstrom von 190 A bei 78 A Nennstrom selbst unter Spitzenlasten konstante Leistung gewährleistet. Die optimierte Kernmischung reduziert Verluste und erhöht Effizienz dauerhaft deutlich.

Schneller Einschwingvorgang und minimaler Spannungsabfall steigern TLVR-Effizienz deutlich spürbar

Die MnZn-Kerntechnologie und sorgfältig ausgewählte Materialien erlauben der WE-HCMD-Induktivität eine extrem hohe Leistungsdichte bei gleichzeitig sehr geringem Widerstand. Ihr dynamischer Einschwingvorgang reduziert Spannungseinbrüche in anspruchsvollen TLVR-Topologien nachhaltig und verbessert so den Gesamtwirkungsgrad. Zudem kann der benötigte Ausgangskondensator deutlich kleiner dimensioniert werden, was auf der Leiterplatte wertvollen Platz spart und die Gesamtkosten durch geringeren Bauteileaufwand effektiv senkt. Dieses Zusammenspiel sorgt für höhere Netzstabilität, optimierte thermische Eigenschaften und eine langfristig zuverlässige Spannungsversorgung.

Hochleistungsinduktivität sichert konstante Performance bei extremen Temperaturen und Strömen

In Trans-Inductor-Spannungswandlern müssen bei plötzlichen Lastschwankungen üblicher Regler mehrfach umschalten, was zu Effizienzverlusten führt. Die WE-HCMD-Induktivität kombiniert hohen Koppelfaktor von 0,98 mit minimalem Widerstand, sodass sie selbst bei straken Transienten und Temperaturen bis 125?°C eine konstante Induk­tivität beibehält. Entwickler profitieren von reduziertem Kapazitätsbedarf, stabileren Spannungsausgängen und zuverlässig optimierter Performance in Mehrphasen- und KI-getriebenen FPGA-Systemen. Die robuste Konstruktion minimiert Spannungsabfall bei Spitzenströmen von bis zu 190 A, unterstützt Multiphase-Designs und maximiert Gesamtwirkungsgrad.

WE-HCMD minimiert Spannungseinbrüche in kritischen mehrstufigen CPU GPU FPGA-Versorgungen

Speziell für leistungsstarke Mehrphasen-Regelkreise konzipiert, integriert die WE-HCMD getaktete Induktivitäten für CPU-Motherboards, GPUs, FPGAs, KI-Chips, Server und ASICs. Dank niedrigem Gleichstromwiderstand und hoher Sättigungsströmigkeit gewährleisten gekoppelte Induktivitätszweige präzise Spannungspegel selbst bei schlagartigen Lastspitzen. Damit werden Spannungseinbrüche minimiert und Frequenzstabilität maximiert. Die Kompaktheit der Bauformen erlaubt geringeren Platzbedarf, erleichtert das Thermomanagement und reduziert Kosten durch kleinere Ausgangskondensatoren in anspruchsvollen Power-Topologien. Außerdem verbessert die induktive Kopplung Transienten-Reaktionszeiten und Systemzuverlässigkeit unter extremen Betriebsbedingungen.

Nominalstrom 78A, Sättigung 190A, minimaler RDC garantiert geringe Leistungsverluste

Die WE-HCMD-Serie bietet in zwei Gehäusevarianten eine umfassende Lösung für Hochstromanwendungen: vier Ausführungen im 0910-Gehäuse und sechs im 1111-Format. Sie sind für dauerhafte Belastungen bis 78 A ausgelegt und erreichen bei 125 °C Umgebungstemperatur Sättigungsströme bis zu 190 A. Der interne Widerstand von lediglich 0,125 m? sorgt für minimale Leistungsverluste und garantiert eine stabile Induktivität auch bei scharfen Lastspitzen und hohen Schaltfrequenzen. Bei anspruchsvollen Power-Designs in Server- und Automotive-Anwendungen gewährleistet.

Entwickler erhalten jetzt WE-HCMD SMT-Spulenmuster ohne Mindestabnahmemenge kostenfrei direkt

Die sofortige Verfügbarkeit aller SMT-fähigen WE-HCMD-Module ab Lager ohne Mindestabnahmemenge bietet Entwicklern maximale Freiheit. Kostenlose Muster können angefordert werden, um die modernen Hochstrominduktivitäten in individuellen TLVR-Schaltungen zu testen. Dieser serviceorientierte Ansatz von Würth Elektronik ermöglicht schnelle Prüfzyklen, detaillierte Performance-Analysen und frühe Optimierungen. So lassen sich Prototypen zeitnah fertigen, Belastungstests durchführen und Anpassungen vor der Serienfertigung realisieren, was den Entwicklungsaufwand minimiert und Markteinführungszeiten verkürzt. Gleichzeitig steigt die Planungssicherheit für komplexe Anwendungen.

Robuste WE-HCMD-Serie ideal für CPU-, FPGA-, GPU- und KI-Power-Designs

Die WE-HCMD-Induktivitäten von Würth Elektronik kombinieren eine hochpermeable MnZn-Kerntechnologie mit minimalem Innenwiderstand, um eine überragende Effizienz in Multiphase-TLVR-Topologien zu erreichen. Entwickler profitieren von schnellen Einschwingzeiten und reduziertem Spannungsabfall bei dynamischen Lastwechseln in KI- und FPGA-Umgebungen. Bei Umgebungstemperaturen bis 125 °C liefern die Spulen bis zu 190 A Sättigungsstrom, reduzieren den Platzbedarf für externe Komponenten und ermöglichen zuverlässige Leistungsumwandlung in Hochleistungs-CPU-, GPU- und ASIC-Anwendungen. und senken durch optimierte Bauteilabstimmung Gesamtkosten signifikant.

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